EQS-News: Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON (deutsch)

Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON

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EQS-Media / 23.04.2024 / 07:30 CET/CEST

Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON

Herzogenrath, 23. April 2024 - Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat

sich für die G10-SiC von AIXTRON (FSE: AIXA) entschieden, um die eigenen

Kapazitäten im Bereich SiC-Epitaxie zur Produktion von Leistungsbauelementen

hochzufahren. Die Lösung von AIXTRON wird künftig in Vishays

automotive-zertifizierter Newport-Fabrik in Südwales zum Einsatz kommen. Die

flexible Konfiguration der G10-SiC mit 9x150 mm oder 6x200 mm Wafern

unterstützt den einfachen Wechsel zu größeren Wafer-Durchmessern.

Vishay ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern

und passiven elektronischen Komponenten. Diese Bauteile kommen in den

Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Konsumgüter, Telekommunikation,

Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizintechnik in allen Arten von

elektronischen Geräten und Systemen zum Einsatz.

"Die neue G10-SiC Epi-Produktionsanlage für die 200 mm Epitaxie ermöglicht

eine hervorragende Kostenstruktur, die den Produktivitätszielen von Vishay

entspricht. Dies in Kombination mit einer exzellenten Gleichförmigkeit über

den gesamten 200-mm-Waferdurchmesser hinweg hat uns dazu veranlasst,

AIXTRON-Technologie zu wählen. Das AIXTRON-Team hat eine einzigartige Lösung

für präzise Kontrolle von Dotierstoffen und Schichtdicken auf 200 mm

SiC-Wafern entwickelt. Diese Leistung wird über die gesamte 6x200

mm-Wafercharge mit einer beeindruckenden Run-to-Run-Stabilität

gewährleistet", sagte Danilo Crippa, Senior Director R&D für

SiC-Entwicklung, Vishay Intertechnology, Inc.

"Wir freuen uns über die Gelegenheit, eng mit Vishay zusammenzuarbeiten und

unser hochmodernes Epi-Produktionssystem mit flexibler 150 und 200

mm-SiC-Waferkonfiguration für Vishays automotive-zertifizierte Fabrik in

Newport (Südwales) zu liefern. Unser starkes Kundenservice-Team im South

Wales Compound Semiconductor Cluster unterstützt Vishay dabei, die

SiC-Inhouse-Epitaxie in kürzester Zeit auf höchste Produktivität zu

bringen", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President SiC, AIXTRON SE.

Seit ihrer Markteinführung im September 2022 hat sich AIXTRONs

G10-SiC-Anlage schnell zur führenden Anlage für 150 mm- und 200

mm-SiC-Epitaxie entwickelt. Dank der neuesten technologischen Fortschritte

bietet die Anlage erstklassige Uniformität in Kombination mit dem höchsten

Wafer-Durchsatz pro m² Reinraumfläche auf dem Markt. Damit ermöglicht sie

die Produktion von SiC-Leistungsbauelementen zu den niedrigsten

Betriebskosten. Uniformität und Produktivität sind ausschlaggebend für die

Produktionsausbeute und -kosten und damit entsprechend für die

Elektrifizierung der Automobilbranche und weiterer Industriemärkte.

Ansprechpartner

Medien:

Ragah Dorenkamp

Director Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-1830

e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Investoren:

Carsten Werle

Director Investor Relations (interim)

fon +49 (2407) 9030-8815

e-mail c.werle.sc@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic

Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),

EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),

PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",

"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei

Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der

englischen Übersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Unternehmen

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